-
Ruský jazyk
Kinetika jelektronnyh processov v Si i Ge v polyah vneshnih vozdejstvij
Autor: Galina Gajdar
V monografii predstavleny rezul'taty issledovaniya osobennostej izmenenij kineticheskih kojefficientov pod vozdejstviem oblucheniya, napravlennoj uprugoj deformacii i raznyh rezhimov termoobrabotki monokristallov kremniya i germaniya; proveden analiz vliyaniya... Viac o knihe
Na objednávku, dodanie 2-4 týždne
54.21 €
bežná cena: 61.60 €
O knihe
V monografii predstavleny rezul'taty issledovaniya osobennostej izmenenij kineticheskih kojefficientov pod vozdejstviem oblucheniya, napravlennoj uprugoj deformacii i raznyh rezhimov termoobrabotki monokristallov kremniya i germaniya; proveden analiz vliyaniya primesej tehnologicheskogo proishozhdeniya na obrazovanie jelektricheski-aktivnyh komplexov; izucheny puti obespecheniya stabil'nosti parametrov poluprovodnikovyh sistem po otnosheniju k jeffektivnym vneshnim vozdejstviyam; vyyasnena rol' kak plavnyh (soizmerimyh s razmerami issleduemyh kristallov), tak i vysokogradientnyh neodnorodnostej nanoob#ektov; predlozhena metodologiya opredeleniya parametrov s povyshennoj chuvstvitel'nost'ju k ostatochnym neodnorodnostyam v poluprovodnikah. Monografiya prednaznachena dlya nauchnyh sotrudnikov i specialistov v oblasti poluprovodnikovogo materialovedeniya i radiacionnoj fiziki.
- Vydavateľstvo: LAP LAMBERT Academic Publishing
- Rok vydania: 2015
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Ruský jazyk
- ISBN: 9783659798153
Anglický jazyk 
Nemecký jazyk