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Anglický jazyk
Fundamentals of III-V Devices
Autor: Liu
HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig... Viac o knihe
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HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig intensiv erforscht. Diese Einführung ist so verständlich formuliert, daß der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik benötigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)
- Vydavateľstvo: John Wiley & Sons
- Rok vydania: 1999
- Formát: Hardback
- Rozmer: 240 x 161 mm
- Jazyk: Anglický jazyk
- ISBN: 9780471297000
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