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Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si
Autor: Sonia Kaschieva
E' stata studiata la generazione di difetti di radiazione mediante irradiazione di elettroni MeV ad alta energia di tipo n e p- struttura Si-SiO2 con diversi tipi di ossidi. I cambiamenti morfologici di ossido di SiO2 durante l'irradiazione di elettroni... Viac o knihe
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E' stata studiata la generazione di difetti di radiazione mediante irradiazione di elettroni MeV ad alta energia di tipo n e p- struttura Si-SiO2 con diversi tipi di ossidi. I cambiamenti morfologici di ossido di SiO2 durante l'irradiazione di elettroni MeV è stato osservato da AFM. Si + strutture Si-SiO2 impiantato ioni Si + impiantato strutture Si-SiO2 prima e dopo l'irradiazione di elettroni MeV sono presentati. La ridistribuzione di atomi di ossigeno e di silicio e la generazione di nanocristalli Si durante l'irradiazione di elettroni MeV è stata osservata da RBS / C e AFM tecniche rispettivamente. Proprietà ottiche, fotoluminescenza e studi spettroscopici di film di SiOx irradiati con elettroni MeV sono anche effettuati.
- Vydavateľstvo: Edizioni Sapienza
- Rok vydania: 2020
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Taliansky jazyk
- ISBN: 9786200995759
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