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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Autor: Norman Böttcher

Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist... Viac o knihe

Predpokladaný dátum vydania: 14.1.2026

78.63 €

bežná cena: 87.37 €

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Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.


Der Autor
Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke.

  • Vydavateľstvo: Springer-Verlag GmbH
  • Rok vydania: 2026
  • Formát: Paperback
  • Rozmer: 210 x 148 mm
  • Jazyk: Nemecký jazyk
  • ISBN: 9783658501501

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