-
Nemecký jazyk
Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment
Autor: Radhika Ikkurti
Es gibt eine kurze Zusammenfassung darüber, wie Energielücken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel größer als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne >> nh, während die Lochdichte im Halbleiter... Viac o knihe
Na objednávku, dodanie 2-4 týždne
40.68 €
bežná cena: 45.20 €
O knihe
Es gibt eine kurze Zusammenfassung darüber, wie Energielücken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel größer als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne >> nh, während die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel größer ist größer als die Elektronendichte: nh >> ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung sorgt für zusätzliche Löcher, die als Akzeptoratome bekannt sind, während die im n-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung zusätzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, während das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitsträger vom höheren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitsträger vom niedrigeren zum höheren Potenzial bewegen.
- Vydavateľstvo: Verlag Unser Wissen
- Rok vydania: 2023
- Formát: Paperback
- Rozmer: 220 x 150 mm
- Jazyk: Nemecký jazyk
- ISBN: 9786206534457
Anglický jazyk 
